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本发明提供了一种用于超导量子电路的真空间隙平行板电容，所述真空间隙平行板电容包括上芯片电极板、下芯片电极板和超导焊柱，所述超导焊柱连接所述上芯片电极板和下芯片电极板。还提供了其制备方法和应用。本发明方案针对现有技术问题，提出一种新型量子比特旁路电容设计方案。该设计方案结合倒装焊技术，能够实现真空间隙的平行板电容结构。电容上下极板之间通过超导铟柱进行支撑并提供电连接。由于真空是完全无损耗的，铟柱超导之后也是无损耗的，且平行板电容内部电场分布非常均匀，因此这种电容结构将能够为进一步提升量子比特退相干
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114077778 A
(43)申请公布日 2022.02.22
(21)申请号 202010800498.5
(22)申请日 2020.08.11
(71)申请人 北京量子信息科学研究院
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