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本发明提供了一种空气间隙的形成方法,包括:提供基底,基底上形成有所述字线结构,字线结构的侧面和顶部依次形成有氧化层和冗余氮化硅层;去除所述字线结构顶部的的氧化层和冗余氮化硅层,且保留字线结构侧壁的氧化层和冗余氮化硅层;去除部分冗余氮化硅层;去除剩余的冗余氮化硅层,以在相邻的字线结构之间形成空气间隙;以及,在所述字线结构上形成自对准金属硅化物。自对准金属硅化物的高度比传统工艺中的自对准金属硅化物的高度高很多,因此,减小了自对准金属硅化物的电阻,相应的,所述字线结构之间的空气空隙的高度也比传统工艺中
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114141696 A
(43)申请公布日 2022.03.04
(21)申请号 202111436024.8
(22)申请日 2021.11.29
(71)申请人 上海华力微电子有限公司
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