半导体结构及其形成方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.78万字
约 24页
2023-04-26 发布于北京
举报
版权申诉

半导体结构及其形成方法.pdf

1、本文档共24页，其中可免费阅读23页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有沿第一方向延伸的初始栅极结构，初始栅极结构两侧基底内形成有源漏掺杂区，初始栅极结构侧部的基底上形成有层间介质层，层间介质层覆盖初始栅极结构侧壁，基底沿第一方向包括多个器件单元区以及位于相邻器件单元区之间的隔离区；刻蚀隔离区的初始栅极结构和层间介质层，形成沿第二方向延伸的隔离槽，隔离槽在第一方向上将初始栅极结构分割为多个栅极结构，第二方向垂直于第一方向；在隔离槽中形成阻断层；以阻断层为掩膜刻蚀器件单元区中栅极结构两侧的层间介质层，形成

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078762 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202010819896.1 (22)申请日 2020.08.14 (71)申请人中芯