发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于四川
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发光二极管及其制备方法.pdf

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本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，包括顺序排列的半导体堆叠层、第一绝缘层和反射结构，第一绝缘层设有延伸至半导体堆叠层的第一开口；反射结构包括顺序排列的第一粘附层、第二粘附层和第一反射层，第一粘附层为图案化结构，且间断设置在第一绝缘层上并至少填充第一开口；第二粘附层位于图案化的第一粘附层上。本申请中第一粘附层填充第一开口，第二粘附层位于第一粘附层上，可使第一反射层与第一开口下方的半导体堆叠层通过第一粘附层直接或间接连接，第一反射层与非第一开口处的第一绝缘层通过第二粘附层连接，在提高第一反射层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114141924 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202111376233.8 (22)申请日 2021.11.19 (71)申请人厦门市三安光电科技有限公司