半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法，半导体器件包括衬底，多个栅极、与多个所述栅极对应的第一触点以及数个第二触点；多个所述栅极间隔设于所述衬底的表面上，且每两个相邻的所述栅极之间有间隔区，所述衬底的表面上设有位于所述间隔区的源极，每一所述栅极包括连接面，每一所述栅极的连接面上设有一个所述第一触点，所述第一触点在所述连接面的正投影呈长条状，且所述第一触点的长度延伸方向与所述栅极长度方向相同；数个所述第二触点设于所述衬底上，且位于所述间隔区内与所述源极连接，所述第二触点与所述第一

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078863 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202111271129.2 H01L 27/11556 (2017.01)