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- 2023-04-26 发布于四川
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本发明提供了一种电子级金刚石的制备方法,包括以下步骤:对金刚石籽晶进行微波等离子体刻蚀处理,得到刻蚀预处理籽晶;在所述刻蚀预处理籽晶的(100)面,微波等离子体辅助CVD生长单晶金刚石过渡层;在所述单晶金刚石过渡层表面微波等离子体辅助CVD生长电子级金刚石。本发明提供的方法采用分步生长的方式,首先生长出一定厚度的过渡层单晶金刚石,所述单晶金刚石过渡层能够将由于金刚石籽晶衬底的缺陷修正,然后再采用微波等离子体辅助CVD生长电子级金刚石,最终制备出杂质含量低于2ppm的电子级单晶金刚石材料。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114086253 A
(43)申请公布日 2022.02.25
(21)申请号 202111409587.8 C30B 25/00 (2006.01)
(22)申请日 2
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