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本发明提供一种拆分FinFET晶体管电阻的方法，提供FinFET晶体管的总电阻和外部电阻以及通道电阻的关系，根据总电阻与外部电阻与栅极电压的关系，分别在栅极施加不同的电压得到总电阻的阻值与外部电阻的阻值，计算出通道电阻阻值；分别测试连接于外延层的金属接触线的顶部电压、底部电压以及电流，计算得到接触电阻阻值；测试相邻两个金属接触线顶部的电压差，计算出外延层电阻的阻值；计算金属接触线电阻阻值；根据外部电阻与栅极侧墙电阻、外延层电阻、接触电阻及金属接触线电阻的关系以及外部电阻阻值、外延层电阻阻值、接触
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114141650 A
(43)申请公布日 2022.03.04
(21)申请号 202111437025.4
(22)申请日 2021.11.30
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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