具有介电层的半导体结构元件.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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具有介电层的半导体结构元件.pdf

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本发明涉及一种半导体结构元件(200)，所述半导体结构元件包括至少一个介电层(230)以及至少一个第一电极(202)和第二电极(201)。附加地，在所述介电层(230)中存在至少两种彼此不同的缺陷类型(212，215，217)。所述至少两种彼此不同的缺陷类型(212，215，217)根据在所述第一电极(202)与所述第二电极(201)之间施加的运行电压和当前的运行温度沿着分别具有平均有效间距a0(210)的局部缺陷状态(235)向着所述两个电极(202，210)中的一个电极运动。在此，对于所述平

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114080697 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202080049174.0 (72)发明人 T ·沙里　J ·托马斯科　