芯片背面嵌入式微流体冷却沟道的制备方法及制备装置.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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芯片背面嵌入式微流体冷却沟道的制备方法及制备装置.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，具体为一种芯片背面嵌入式微流体冷却沟道的制备方法及制备装置，包括：通过在半导体衬底片的第一表面制备间隔排列的多个掩膜，将生成所述掩膜层的半导体衬底片浸泡入刻蚀液中，基于三电极体系并采用包含小于所述半导体衬底片对应的吸收光波长临界值的入射光照射在所述半导体衬底片的第一表面，从而对所述半导体衬底片的第一表面上未覆盖所述掩膜的半导体暴露部分进行刻蚀，刻蚀完成后得到嵌入式微流体冷却沟道，将包含嵌入式微流体冷却沟道作为冷却剂的流经通道用于对芯片进行降温。本发明能够在半导体衬底片上

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114150362 B (45)授权公告日 2022.05.03 (21)申请号 202210115945.2 C25F 7/00 (2006.01)