半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有接触层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层内具有接触孔，所述接触孔底部暴露出所述接触层，所述接触孔侧壁暴露出所述介质层；在所述接触孔的底部表面和侧壁表面形成籽晶层；在所述籽晶层表面形成第一填充层，所述第一填充层内具有开口；对所述籽晶层和所述第一填充层进行退火处理；所述退火处理后，在所述开口内形成第二填充层，所述第二填充层和所述第一填充层使所述接触孔被填满，由所述第一填充层和第二填充层形成导电插塞，所述导电插塞具有较低的电阻，相对于一次填充

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171452 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202010948793.5 (22)申请日 2020.09.10 (71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限