一种无脱膜剂的自支撑靶膜的制备方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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一种无脱膜剂的自支撑靶膜的制备方法.pdf

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本发明涉及膜材料制备技术，具体公开了一种无脱膜剂的自支撑靶膜的制备方法。所述制备方法通过对自支撑靶膜制备方法中的磁控溅射与退火处理两个工艺进行调整，在衬底上直接制备得到与衬底结合力较弱的薄膜，之后通过温和的应力改变来使薄膜脱离衬底，无需脱膜剂参与，脱离过程也不会破坏薄膜结构，实现无脱模剂污染的自支撑靶膜的制备。避免自支撑靶膜作为核靶时，传统制备方法中脱膜剂的污染影响核试验结果的准确性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114182219 A (43)申请公布日 2022.03.15 (21)申请号 202010962996.X (22)申请日 2020.09.14 (71)申请人新奥（天津）能源技术有限公司