半导体原子层沉积装置的喷洒头结构.pdfVIP

下载本文档

2
0
约6.37千字
约 10页
2023-04-27 发布于北京
举报
版权申诉

半导体原子层沉积装置的喷洒头结构.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种半导体原子层沉积装置的喷洒头结构，包括一扩散盘、一盘盖、一气体引流管及一气体引入器，该扩散盘具有贯穿的复数喷孔，该盘盖结合在该扩散盘顶面，中央具有一穿孔，底面具有与该穿孔相通的一扩槽，该气体引流管结合于该盘盖上且具有呈倒漏斗状的一引流槽道，该气体引入器封盖于该气体引流管上端，底面具有一内槽，周面具有至少一进气流道，该进气流道的内端具有向下倾斜一角度以连通该内槽的一出气段，该出气段的中心轴线形成一偏心角度使偏离该气体引入器的中心轴线；藉此可使气体形成涡流以大幅提升沉积薄膜的均匀度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114164412 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202010948936.2 (22)申请日 2020.09.10 (71)申请人鑫天虹(厦门)科技有限公司