异质结太阳能电池及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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异质结太阳能电池及其制作方法.pdf

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本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及异质结太阳能电池的单晶硅衬底具有绕镀至侧面的非晶层，且非晶层位于受光面的厚度小于或等于非晶层位于背光面的厚度；基于本发明所提供的异质结太阳能电池，可以避免第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与单晶硅衬底之间形成直接接触导致漏电，降低单晶硅衬底边缘受损风险，而且还能有效降低太阳光在进入受光面时的损耗，可提高异质结太阳能电池的短路电流，使得异质结太阳能电池具有较好的光电转化效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171621 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202010847406.9 (22)申请日 2020.08.21 (71)申请人嘉兴阿特斯技术研究院有限公司