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功率MOSFET器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-04-27 发布于北京
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功率MOSFET器件及其制备方法.pdf

    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种功率MOSFET器件及其制备方法。该功率MOSFET器件包括：半导体基板；自半导体基板表面延伸至半导体基板中的体区，以及形成于体区内的掺杂区；体区包括作为元胞区的第一区域，以及位于第一区域周围的第二区域；穿过第一区域的第一沟槽和第二沟槽，穿过第二区域的第三沟槽，第二沟槽的深度小于第一沟槽的深度，第一沟槽的内壁和第二沟槽的内壁均设置有栅极介质层；位于第一沟槽内的第一金属插塞，位于第二沟槽内的第二金属插塞，以及位于第三沟槽内的第三金属插塞，第二金属插塞与第二沟槽的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114141878 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202111499851.1 (22)申请日 2021.12.09 (71)申请人 北京燕东微电子科技有限公司

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