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本发明提供了一种FinFET器件的栅极结构的形成方法,包括:提供一衬底,衬底上形成有鳍片;依次形成牺牲层及停止层,牺牲层覆盖鳍片的外壁及衬底的表面,停止层覆盖牺牲层;形成虚拟栅极,虚拟栅极部分覆盖隔离层及衬底;蚀刻部分虚拟栅极以形成暴露衬底的深槽,于深槽内形成隔离墙,隔离墙截断虚拟栅极;去除虚拟栅极、停止层及牺牲层,以形成栅极结构。利用覆盖于鳍片上的牺牲层及停止层,可在蚀刻虚拟栅极以形成深槽时可以利用停止层确保深槽与鳍片的距离,从而使得于深槽中形成的隔离墙与鳍片保持合适的距离以具有类似自对准的效
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114156170 A
(43)申请公布日 2022.03.08
(21)申请号 202111446997.X
(22)申请日 2021.11.30
(71)申请人 上海集成电路装备材料产业创新中
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