1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

具备温度梯度反转单元的半导体衬底的制造装置和半导体衬底的制造方法.pdfVIP

具备温度梯度反转单元的半导体衬底的制造装置和半导体衬底的制造方法.pdf

    1. 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
    2. 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    3. 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    4. 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
    5. 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
    6. 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
    7. 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
    查看更多
    本发明提供一种在同一装置系统中进行半导体衬底的蚀刻和生长的方法及其装置。一种半导体衬底的制造方法包括：第一加热步骤，对收纳有半导体衬底和与所述半导体衬底相互输送原子的收发体的热处理空间进行加热，以在所述半导体衬底和所述收发体之间形成温度梯度；以及第二加热步骤，使所述温度梯度高低反转来进行加热。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114174570 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202080024455.0 (74)专利代理机构 北京商专永信知识产权代理

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    知识产权出版社 + 关注
    官方认证
    服务提供商

    提供农业、铸造、给排水、测量、发电等专利信息的免费检索和下载；后续我们还将提供提供专利申请、专利复审、专利交易、专利年费缴纳、专利权恢复等更多专利服务。并持续更新最新专利内容，完善相关专利服务，助您在专利查询、专利应用、专利学习查找、专利申请等方面用得开心、用得满意！

    咨询作者（112人已咨询） 已休息
    版权声明书
    用户编号：7160061112000031
    认证主体北京中献电子技术开发有限公司
    IP属地北京
    统一社会信用代码/组织机构代码
    91110108102011667U

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >