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本公开涉及亚微米CMOS高功率共源共栅RF功率放大器。一种装置包括放大器电路,该放大器电路包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管通常包括具有第一厚度的栅极氧化物和第一栅极长度的栅极。第二晶体管通常包括具有第二厚度的栅极氧化物和第二栅极长度的栅极。第一晶体管和第二晶体管以共源共栅配置连接,并且第二厚度和第二栅极长度分别大于第一厚度和第一栅极长度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114172473 A
(43)申请公布日 2022.03.11
(21)申请号 202111064297.4
(22)申请日 2021.09.10
(30)优先权数据
63/076,98
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