半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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半导体器件及其形成方法.pdf

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一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上具有栅极结构和位于栅极结构两侧的导电层；在栅极结构上形成第一硬掩膜层；在导电层上形成第二硬掩膜层；刻蚀去除所述栅极结构的中心上的第一硬掩膜层以及栅极结构的中心一侧的导电层上的第二硬掩膜层，在第一硬掩膜层和第二硬掩膜层内形成通孔，通孔的底部同时暴露出栅极结构的中心顶部表面和栅极结构的中心一侧的导电层的顶部表面；在暴露出的栅极结构的中心顶部表面和栅极结构的中心一侧的导电层的顶部表面形成连接层，连接层将栅极结构的中心与栅极结构的中心一侧的导电层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171592 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202010949717.6 (22)申请日 2020.09.10 (71)申请人中芯