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背照式图像传感器及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-04-27 发布于北京
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背照式图像传感器及其形成方法.pdf

    一种背照式图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供第一衬底，第一衬底包括像素区，像素区内具有第一离子，第一衬底具有相对的第一面和第二面；在像素区内形成若干深沟槽；在深沟槽侧壁形成本征外延层；在本征外延层的表面形成掺杂外延层，掺杂外延层内具有第二离子；在第一面形成填充层，填充层封闭深沟槽的开口；在形成填充层之后，在第一面上形成器件层，器件层内具有若干器件结构。通过先在深沟槽内形成本征外延层和掺杂外延层，利用本征外延层对深沟槽的侧壁损伤进行修复；再在第一面形成器件层。因此能够有效避免在形成本征

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114141799 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202111535668.2 (22)申请日 2021.12.15 (71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司

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