一种电容结构制备方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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一种电容结构制备方法.pdf

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本发明公开了一种电容结构制备方法，通过在基底上沉积包括第一介电层、第一支撑层、第二介电层、第二支撑层以及呈预设图案的阻挡层的堆叠结构，在堆叠结构中刻蚀出多个开口，其中开口的底部显露出位于基底中的电连接垫，沉积覆盖呈预设图案的阻挡层的顶表面以及开口的侧壁和底表面的导电层，刻蚀至少部分导电层形成下电极，下电极的顶表面至基底的第一距离小于第二支撑层的顶表面至基底的第二距离，去除第一介电层、第二介电层和呈预设图案的阻挡层，形成至少覆盖下电极的电容介电层以及上电极。该方法在对导电层进行回刻蚀以形成下电极时

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171680 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202111476208.7 (22)申请日 2021.12.06 (71)申请人福建省晋华集成电路有限公司