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镉胁迫对勋章菊生长的影响 摘 要：以勋章菊为试验材料，采用水培试验研究不同质量浓度（0、0.3、1.0、3.0、10、30、60、90mg/L）镉胁迫下，勋章菊的各个生长指标的变化规律，明确不同质量浓度镉胁迫对勋章菊种子萌发和幼苗生长的影响，旨在为镉污染的土壤植物修复提供一定的理论依据。试验结果表明，随着镉胁迫质量浓度的增加，勋章菊种子的发芽率、发芽势、发芽指数和活力指数，均呈先上升后下降的趋势；当镉质量浓度不小于30 mg/L时茎长抑制指数和根长抑制指数均呈极显著增加，勋章菊对Cd的耐性表现为茎大于根；++++镉胁迫达到了勋章菊种子萌发的极限质量浓度；回归分析说明。。。。勋章菊对镉具有较强