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本发明揭示一种半导体反应腔中部件的处理方法,包含:执行一镀覆步骤,在一薄膜镀覆工艺前,将所述部件浸入一镀覆液中进行镀覆,以在所述部件的一表面生成一镀覆层;以及将具有所述镀覆层的部件装配至反应腔后执行所述薄膜镀覆工艺。整体而言,本发明的所述部件的一表面生成有一镀覆层,从而延长了反应腔中部件的使用寿命。此外,本发明提供了一种半导体反应腔包含所述部件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114196998 A
(43)申请公布日 2022.03.18
(21)申请号 202111523461.3
(22)申请日 2021.12.13
(71)申请人 拓荆科技股份有限公司
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