基于氮化物的半导体装置和其制造方法.pdfVIP

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2023-04-28 发布于四川
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基于氮化物的半导体装置和其制造方法.pdf

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一种基于氮化物的半导体装置包含第一基于氮化物的半导体层、第二基于氮化物的半导体层、第一基于氮化物的晶体管和第二基于氮化物的晶体管。所述第一基于氮化物的晶体管应用2DEG区域作为其沟道并且包括第一漏电极，所述第一漏电极与所述第二基于氮化物的半导体层接触以与所述第二基于氮化物的半导体层形成第一肖特基二极管。所述第二基于氮化物的晶体管应用所述2DEG区域作为其沟道并且包含第二漏电极，所述第二漏电极与所述第二基于氮化物的半导体层接触以与所述第二基于氮化物的半导体层形成第二肖特基二极管，使得所述第一肖特基

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114207818 A (43)申请公布日 2022.03.18 (21)申请号 202180004254.9 (51)Int.Cl.