CVD工艺介绍课件.pptVIP

5.6 FLOW中各膜应用分析 5.6.1 CVD来片已经有如下结构 CVD工艺介绍全文共58页，当前为第32页。 5.6 FLOW中各膜应用分析 5.6.2 淀积USG+BPSG膜（介质膜） CVD工艺介绍全文共58页，当前为第33页。 5.6 FLOW中各膜应用分析 5.6.3 BPSG回流 CVD工艺介绍全文共58页，当前为第34页。 5.6 FLOW中各膜应用分析 5.6.4 刻蚀contact或VIA孔 CVD工艺介绍全文共58页，当前为第35页。 5.6 FLOW中各膜应用分析 5.6.5 填充金属AL CVD工艺介绍全文共58页，当前为第36页。 5.6 FLOW中各膜应用分析 5.6.6 刻蚀AL，形成AL形貌 CVD工艺介绍全文共58页，当前为第37页。 5.6 FLOW中各膜应用分析 5.6.7 生长钝化保护层 CVD工艺介绍全文共58页，当前为第38页。 5.6 FLOW中各膜应用分析 5.6.8 刻蚀钝化保护层，完成工艺，进行参数测试 CVD工艺介绍全文共58页，当前为第39页。 5.7 FLOW中各膜应用分析--DM 下面为DM(双AL)产品的FLOW CVD工艺介绍全文共58页，当前为第40页。 silicon substrate p-well n-well CMOS Contacts Interconnects Deposit BPTEOS BPTEOS BPSG Reflow Planarization Etchback Deposit Resist UV Exposure Develop Resist Contact Etchback Remove Resist Fox polySi polySi n+ n+ p+ p+ CVD工艺介绍全文共58页，当前为第41页。 silicon substrate p-well n-well CMOS Contacts Interconnects Depost Metal 1 Metal 1 Deposit Resist UV Exposure Develop Resist Etch Metal 1 Remove Resist Fox polySi polySi p+ p+ n+ n+ BPTEOS CVD工艺介绍全文共58页，当前为第42页。  生长IMD1—PETEOS膜 ---PETEOS CVD工艺介绍全文共58页，当前为第43页。  涂布SOG---SOG 211液 ---PETEOS CVD工艺介绍全文共58页，当前为第44页。  ---PETEOS CVD工艺介绍全文共58页，当前为第45页。 生长IMD1---PETEOS,形成三明治结构 ---PETEOS IMD1---PETEOS CVD工艺介绍全文共58页，当前为第46页。 ---PETEOS IMD1---PETEOS CVD工艺介绍全文共58页，当前为第47页。 ---PETEOS IMD1---PETEOS AL CVD工艺介绍全文共58页，当前为第48页。 ---PETEOS IMD1---PETEOS CVD工艺介绍全文共58页，当前为第49页。 ---PETEOS IMD1---PETEOS PAS---PETEOS PAS---PESIN CVD工艺介绍全文共58页，当前为第50页。 ---PETEOS IMD1---PETEOS PAS---PETEOS PAS---PESIN CVD工艺介绍全文共58页，当前为第51页。 6.1 CVD工艺中容易出现的问题 膜参数的变化 膜厚，折射率，应力，均匀性，杂质含量等参数超规范 膜上针孔 膜上有比针尖还细小的孔洞 膜内空洞 粉末状玷污 BPTEOS经常出现此现象。在腔体内较脏时容易出现，擦片后可去除 SIN颜色发黄 传片位置偏移或工艺腔体压力不稳定都可导致此现象 CVD工艺中出现最多的问题： 颗粒问题，原因为多方面因素。 CVD工艺介绍全文共58页，当前为第52页。 CVD工艺介绍全文共58页，当前为第53页。 CVD工艺中出现的问题 黑点, 沾污 CVD工艺介绍全文共58页，当前为第54页。 CVD工艺中出现的问题 开裂 CVD工艺介绍全文共58页，当前为第55页。 CVD工艺中出现的问题 脱落、崩掉 CVD工艺介绍全文共58页，当前为第56页。 CVD工艺中出现的问题 打火 CVD工艺介绍全文共58页，当前为第57页。 THE END CVD工艺介绍全文共58页，当前为第58页。 CVD工艺介绍 -----CVD入门介绍 2012/07/25 CISEMI 周华强 CVD工艺介绍全文共58页，当前为第1页。