半导体三极管的基本结构.docxVIP

半导体三极管的基本结构三极管内部结构 半导体二极管内部只有一个 PN 结，若在半导体二极管 P 型半导体的旁边， 再加上一块 N 型半导体如图 5-1（a）所示。由图 5-1（a）可见，这种结构的器件内部有两个 PN 结，且 N 型半导体和 P 型半导体交错排列形成三个区，分别称为发射区，基区和集电区。从三个区引出的引脚分别称为发射极，基极和集电极， 用符号 e、b、c 来表示。处在发射区和基区交界处的 PN 结称为发射结；处在基区和集电区交界处的 PN 结称为集电结。具有这种结构特性的器件称为三极管。 三极管通常也称双极型晶体管（BJT），简称晶体管或三极管。三极管在电路中常用字母 T 来表示。因三极管内部的两个 PN 结相互影响，使三极管呈现出单个 PN 结所没有的电流放大的功能，开拓了 PN 结应用的新领域，促进了电子技术的发展。 因图 5-1（a）所示三极管的三个区分别由NPN 型半导体材料组成，所以，这种结构的三极管称为 NPN 型三极管，图 5-1（b）是 NPN 型三极管的符号，符号中箭头的指向表示发射结处在正向偏置时电流的流向。 根据同样的原理，也可以组成PNP 型三极管，图5-2（a）、（b）分别为PNP 型三极管的内部结构和符号。 由图 5-1 和图 5-2 可见，两种类型三极管符号的差别仅在发射结箭头的方向上，理解箭头的指向是代表发射结处在正向偏置时电流的流