四章节场效应管放大电路.pptxVIP

四章节场效应管放大电路;第四章 场效应管放大电路;4.1 结型场效应管 ;4.1.2 工作原理 ;2. ID与UDS、UGS之间的关系 ;4.1.3 特性曲线 1.输出特性曲线 ; 根据工作情况, 输出特性可划分为4个区域, 即: 可变电阻区、 恒流区、击穿区和截止区。 ;2. 转移特性曲线 ;图 4-6 由输出特性画转移特性;4.2 绝缘栅场效应管 ;2. 工作原理 ;3. 特性曲线 ;4.2.2 N沟道耗尽型MOS场效应管 ;图 4-11 N沟道耗尽型MOS场效应管的特性曲线 ;图 4-12 MOS场效应管电路符号 ;表4-1 各种场效应管的符号和特性曲线 ;;4.3 场效应管的主要参数 ; 2. 夹断电压UP  UP也是耗尽型和结型场效应管的重要参数, 其定义为当UDS一定时,使ID减小到某一个微小电流(如1μA, 50μA)时所需的UGS值。 ; 3. 开启电压UT  UT是增强型场效应管的重要参数, 它的定义是当UDS一定时, 漏极电流ID达到某一数值(例如10μA)时所需加的UGS值。 ?; 4. 直流输入电阻RGS   RGS是栅、源之间所加电压与产生的栅极电流之比。由于栅极几乎不索取电流, 因此输入电阻很高。 结型为106 Ω以上, MOS管可达1010Ω以上。 ;4.3.2 交流参数 1. 低频跨导gm ;4-13 根据场效应管的特性曲线求gm ; 2. 极间电容 场效应管三个电极之间的电容,包括CGS、CGD和CDS。这些极间电容愈小, 则管子的高频性能愈好。 一般为几个pF。 ;4.3.3 极限参数 1.漏极最大允许耗散功率PDm PDm与ID、UDS有如下关系: ; 3. 栅源间击穿电压BUGS 结型场效应管正常工作时, 栅、源之间的PN结处于反向偏置状态, 若UGS过高, PN结将被击穿。  对于MOS场效应管, 由于栅极与沟道之间有一层很薄的二氧化硅绝缘层, 当UGS过高时, 可能将SiO2绝缘层击穿, 使栅极与衬底发生短路。这种击穿不同于PN结击穿, 而和电容器击穿的情况类似, 属于破坏性击穿, 即栅、 源间发生击穿, MOS管立即被损坏。 ;4.4 场效应管的特点; (4) 由于场效应管的结构对称, 有时漏极和源极可以互换使用, 而各项指标基本上不受影响, 因此应用时比较方便、 灵活。 (5) 场效应管的制造工艺简单, 有利于大规模集成。 (6) 由于MOS场效应管的输入电阻可高达1015Ω, 因此, 由外界静电感应所产生的电荷不易泄漏, 而栅极上的SiO2绝缘层又很薄, 这将在栅极上产生很高的电场强度, 以致引起绝缘层击穿而损坏管子。 (7) 场效应管的跨导较小, 当组成放大电路时, 在相同的负载电阻下, 电压放大倍数比双极型三极管低。 ;图 4 – 14 场效应管的零温度系数工作点 ;图 4-15 栅极过压保护电路 ;4.5 场效应管放大电路 ;1.图解法;2.计算法 ; 【例1】 电路如图4 - 16所示, 场效应管为3DJG, 其输出特性曲线如图4 - 18所示。已知RD=2 kΩ, RS=1.2 kΩ,UDD=15V, 试用图解法确定该放大器的静态工作点。  解 写出输出回路的电压电流方程, 即直流负载线方程;在输出特性图上将上述两点相连得直流负载线。  ; 在转移特性曲线上, 作出UGS=-IDRS的曲线。由上式可看出它在uGS~iD坐标系中是一条直线, 找出两点即可。 ; 另一种常用的偏置电路为分压式偏置电路, 如图4 -19所示。该电路适合于增强型和耗尽型MOS管和结型场效应管。为了不使分压电阻 R1、R2 对放大电路的输入电阻影响太大, 故通过 RG 与栅极相连。 该电路栅、 源电压为 ;图 4-19 分压式偏置电路 ; 利用图解法求Q点时, 此方程的直线不通过uGS~iD坐标系的原点,而是通过ID=0, 点, 其它过程与自偏电路相同。 ;4.5.2 场效应管的微变等效电路 ; 如果用id、ugs、uds分别表示iD、uGS、uDS的变化部分, 则式(4-13)可写为;4.5.3 共源极放大电路 ;1. 电压放大倍数(Au) ;2. 输入电阻ri;4.5.4 共漏放大器(源极输出器) ;整理后得 ;图 4-21 源极输出器 ;2. 输入电阻ri ;