一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用.pdf

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本申请公开了一种自PN结半导体纳米材料作为红外光电探测器的应用，其特征在于，所述自PN结半导体纳米材料选自具有如式I所示化学式的物质中的任一种；MO·xMQ2O4式I；其中，所述M选自二价过渡金属元素中的任一种；所述Q选自VIII族元素中的任一种；所述x表示MQ2O4与MO含量的摩尔比，所述x的取值范围为1～2.5；所述自PN结半导体纳米材料为含有异型异质结的两相多晶结构。所述自PN结半导体纳米材料解决了现有技术中MO禁带宽度大，光电转化效率不高且只对紫外光有较强的吸收等问题，具有良好的作为近

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256364 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202111223275.8 H01L 31/18 (2006.01)