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本发明涉及硅部件加工技术领域,尤其涉及一种硅部件气孔的加工方法。由于在加工气孔时钻头包括初始钻削、第一过渡钻削、加工钻削、第二过渡钻削以及终端钻削阶段,且在气孔加工的过程中,钻头在初始钻削时的进给速度小于第一过渡钻削时的进给速度、钻头在第一过渡钻削时的进给速度小于加工钻削时的进给速度、钻头在加工钻削时的进给速度大于第二过渡钻削时的进给速度、钻头在第二过渡钻削时的进给速度大于终端钻削时的进给速度,由此降低了气孔内部的机械损伤厚度改善气孔边缘的精度进而提高了硅部件上气孔的加工精度同时提高用于加工气孔
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114211630 A
(43)申请公布日 2022.03.22
(21)申请号 202111511202.9
(22)申请日 2021.12.03
(71)申请人 锦州神工半导体股份有限公司
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