一种硼10-LBO晶体的生长方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种硼10-LBO晶体的生长方法.pdf

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本发明涉及一种硼10‑LBO晶体的生长方法，属于晶体制备的技术领域。本发明以碳酸锂和硼‑10酸为原料，三氧化钼和三氧化钨为助熔剂，在晶体生长炉中加热熔解后，加入籽晶，经过降温生长获得硼10‑LBO晶体。本发明解决了硼10‑LBO晶体容易开裂的问题，原因是采用氧化钼‑氧化钨为新型的助熔剂时，熔体粘度较小，便于物料流动和传质，生长出高质量的硼10‑LBO晶体且不易开裂。使用本发明的晶体生长方法获得的硼10‑LBO晶体，可以作为中子探测用晶体材料，解决目前中子散射探测器的需求。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114262933 A (43)申请公布日 2022.04.01 (21)申请号 202111547882.X (22)申请日 2021.12.16 (71)申请人山东重山光电材料股份有限公司