一种像素电荷转移效率测试结构与时序.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种像素电荷转移效率测试结构与时序.pdf

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本发明公开了一种像素电荷转移效率测试结构，像素在p型衬底100的基础上，用N型离子注入形成PPD101感光区域，用于减小暗电流噪声的p+掺杂104位于PPD表面；N型掺杂的浮置扩散节点FD105和存储节点SD103分别位于一个P阱102中。第一传输栅107栅极接TG1信号，源极为PPD，漏极为FD节点；第二传输栅108栅极接TG2信号，源极为PPD；第二传输栅108堆叠在第三传输栅109上方。第二传输栅108与PPD101的交叠大于第一传输栅107与PPD101的交叠程度，第三传输栅109与SD

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114222079 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111534022.2 (22)申请日 2021.12.15 (71)申请人上海韦尔半导体股份有限公司