半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本公开提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：在衬底上方的层间电介质层，该衬底包括单元区域、第一外围区域和第二外围区域；在层间电介质层上方的覆盖层；电容器，该电容器由单元区域中的层间电介质层覆盖；接触插塞，该接触插塞穿透第一外围区域中的层间电介质层；金属互连件，该金属互连件穿过覆盖层形成在接触插塞上方；以及穿通电极，该穿通电极穿透覆盖层和层间电介质层并延伸至第二外围区域中的衬底中。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256181 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202111068039.3 (22)申请日 2021.09.13 (30)优先权数据 10-2020-0