集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，包括衬底、N‑外延层、P阱区、结型场效应区的P+区、源极槽区的P+区和N+区、第一欧姆接触金属层、第一肖特基接触金属层、第二欧姆接触金属层和第二肖特基接触金属层；结型场效应区的P+区位于P阱区远离N+区的一侧；第二欧姆接触金属层覆盖结型场效应区的P+区背离N‑外延层的一面；第一肖特基接触金属层位于第二欧姆接触金属层远离P阱区的一侧；第二肖特基接触金属层设置在第二欧姆接触金属层背离结型场效应区的P+区的一侧，与结型场效应区的P+区平行

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114220844 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111539417.1 H01L 27/07 (2006.01)