高耐硒灵芝Ganoderma lucidum JNUSE-200及其富硒发酵策略.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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高耐硒灵芝Ganoderma lucidum JNUSE-200及其富硒发酵策略.pdf

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本发明公开了高耐硒灵芝GanodermalucidumJNUSE‑200及其富硒发酵策略，属于生物技术领域。本发明提供的灵芝菌株GanodermalucidumJNUSE‑200已于2021年9月17日保藏于中国典型培养物保藏中心。硒耐受能力的提升对其富硒至关重要，而本发明的灵芝菌株GanodermalucidumJNUSE‑200在整个液体发酵生长周期中，均能稳定耐受200ppm亚硒酸钠，菌丝体生长正常，菌丝细胞没有出现凋亡，且没有出现刺激性难闻气味，菌丝体富硒总量可以达到2000

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114250153 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202111537482.0 C12N 3/00 (2006.01)