一种超结IGBT终端结构.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种超结IGBT终端结构.pdf

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本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有反向导通能力以及高关断速度的超结IGBT终端结构。本发明的超结功率器件终端结构引入的p+短路区、n+短路区、浮空金属以及p型电阻区的结构在器件关断时能起到加速电子抽取的作用，同时也使器件具备反向导通能力。本发明中的终端结构，使超结IGBT具有反向导通能力，同时在关断过程中提供了一条电子泄放通路，加速了IGBT的关断过程。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256330 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202111582030.4 (22)申请日 2021.12.22 (71)申请人电子科技大学地址