半导体存储装置及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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半导体存储装置及其制备方法.pdf

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本申请公开一种半导体存储装置及其制备方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有接触窗，所述衬底表面形成多个堆叠结构，所述接触窗暴露所述衬底内部，并位于相邻两所述堆叠结构之间；在所述接触窗内形成第一材料层，所述第一材料层内部形成有至多一个空洞，所述第一材料层中包含掺杂离子，且所述掺杂离子的浓度沿垂直所述衬底表面向上的方向逐渐降低。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114267642 A (43)申请公布日 2022.04.01 (21)申请号 202111456471.X (22)申请日 2021.12.01 (71)申请人福建省晋华集成电路有限公司