半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、分立于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于栅极结构之间的层间介质层，基底包括器件区和伪器件区，伪器件区的延伸方向与栅极结构的延伸相垂直；去除伪器件区中，部分厚度的栅极结构和层间介质层，形成第一开口；去除第一开口露出的栅极结构，形成第二开口；在第二开口中形成第一阻断层。本申请实施例，在第二开口中形成第一阻断层，相应的第一阻断层不易形成在层间介质层上，相应的，刻蚀层间介质层，形成露出源漏掺杂层的源漏开口的过程中，形成

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256351 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202011019357.6 H01L 29/06 (2006.01) (22)申请日 2