一种发光二极管外延片及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种发光二极管外延片及其制备方法.pdf

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本发明公开一种发光二极管外延片及其制备方法，在衬底和三维成核层之间设置有用于促进生长三维成核层的第一子层，在三维成核层生长过程中，GaN晶核优先生长在微观孔洞上，由于GaN生长时会优先沿着其本身生长，相当于给三维成核层提供了垂直的起始生长角度，更容易形成三维生长结构，三维生长结构能够加强侧向外延合并三维的能力，消除位错，进而提高外延片的晶体质量。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114267758 A (43)申请公布日 2022.04.01 (21)申请号 202111566788.9 C30B 29/68 (2006.01)