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本发明公开了一种表征套刻精度量测方法准确性的方法中,包括:步骤一、对具有前层套刻精度标识的晶圆并进行第一次曝光,进行第一次测量收集整片晶圆的套刻精度数据,得到最佳补值并将晶圆返工。步骤二、选择性地在N个shot上添加固定偏移量并上传到光刻机。步骤三、结合最佳补值和固定偏移量对晶圆进行第二次曝光;进行第二次测量收集整片晶圆的套刻精度数据。步骤四、利用各未选定shot的套刻精度量测值进行模拟计算得到各选定shot的套刻精度模拟值。步骤五、将各选定shot的套刻精度量测值减去套刻精度模拟值得到各选定s
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114296325 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202210097317.6
(22)申请日 2022.01.27
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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