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一种Mini LED外延结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种Mini LED外延结构及其制造方法.pdf

    本发明提供了一种MiniLED外延结构及其制造方法，在衬底层上生长氮化物缓冲层后，在氮化物缓冲层上溅射第一溅射层；在第一溅射层上生长N型氮化镓层；在N型氮化镓层上溅射第二溅射层；在第二溅射层上生长应力缓冲层；在应力缓冲层上溅射第三溅射层；在第三溅射层上生长量子阱层；最终得到依次层叠的衬底层、氮化物缓冲层、第一溅射层、N型氮化镓层、第二溅射层、应力缓冲层、第三溅射层及量子阱层；本发明通过在存在较明显的晶格失配的层级之间设置溅射层抵消应力的影响，通过设置多层溅射层实现对应力的层层抵消，避免了最终累

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300592 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111622943.4 (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人 福建

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