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本发明公开了一种以单晶碳化硅为基底的Ti‑Cu‑Ni多层膜及其制备方法，包括单晶碳化硅基板、Ti打底层、Ni金属层、Cu金属层、Au金属层、Pt金属层和Ausn焊接层，单晶碳化硅基板顶部直流溅射有Ti打底层，且Ti打底层顶部直流溅射有Ni金属层，Ni金属层顶部直流溅射有Cu金属层，本发明通过调节溅射时间、溅射功率，使各层厚度可以人为调控，有利于提升单晶碳化硅基底的导电性和导热性，提升了焊接性能，同时单晶碳化硅基底与磁场方向成30‑60°，结合单晶碳化硅基底的旋转，保证了单晶碳化硅基底整体镀膜的均
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114318234 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 202110318652.X
(22)申请日 2021.03.25
(71)申请人 苏州博志金钻科技有限责任公司
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