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基于二维金属材料及其氧化物的忆阻器、制备和性能调控方法与应用.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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基于二维金属材料及其氧化物的忆阻器、制备和性能调控方法与应用.pdf

    本发明公开基于二维金属材料及其氧化物的忆阻器、制备和性能调控方法与应用。所述方法包括：在衬底层上制备下电极；在所述下电极上制备二维金属材料层，通过氧气退火制得二维金属材料其氧化物的介质层；采用与制备下电极相同方法制备上电极，使上电极层与下电极层在竖直方向上的投影相互交叠得到基于二维金属材料及其氧化物的忆阻器。此外还提供了通过调控氧化退火时间控制忆阻器性能的方法，并制备对应的忆阻器。本发明得到的忆阻器体积小、性能可控，利于集成，可以应用于新型储存器件、人造突触、模拟电路、人工智能计算机等方面。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300615 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111572994.0 (22)申请日 2021.12.21 (71)申请人 海宁市产业技术研究院

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