阶梯型基体区的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于北京
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阶梯型基体区的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法.pdf

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本申请是关于一种阶梯型基体区的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、源极、漏极以及金属栅极；漂移区与衬底区相接，基体区和源区依次设置在漂移区上方；控制栅和屏蔽栅依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区和源区相接；源区包括相互平行设置的P型源区和N型源区；P型源区和N型源区的排列方向垂直于控制栅的长度方向；基体区的底面呈阶梯型，且基体区靠近控制栅一侧的基体区底面高度高于另一侧的基体区底面高度；源极设置在源区上方；漏极设置在衬底区下方；

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114284339 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202111510748.2 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日