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三维存储器及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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三维存储器及其形成方法.pdf

    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其形成方法。所述三维存储器的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底表面具有堆叠结构；于所述堆叠结构中形成顶层选择栅切线沟槽和伪沟道孔；于所述顶层选择栅切线沟槽中形成顶层选择栅切线、并同时于所述伪沟道孔中形成伪沟道结构。本发明将所述顶层选择栅切线的形成工艺与所述伪沟道结构的形成工艺融合，从而实现对所述三维存储器制造工序的简化，也有助于降低所述三维存储器的制造成本。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300463 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111643246.7 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请日

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