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一种半导体激光器制备方法以及镀膜装置.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种半导体激光器制备方法以及镀膜装置.pdf

    本申请涉及半导体激光器的技术领域，尤其是涉及一种半导体激光器制备方法以及镀膜装置，主要涉及一种半导体激光器制备方法，包括以下步骤：S1：将母板制备形成多个基板；S2：提供外延片，并将外延片固定贴合在多个基板上；S3：通过基板之间的间隙将外延片进行分隔，形成多个激光芯片；S4：镀膜，对每个激光芯片进行单独镀膜，对定量的蒸发源加热，并持续至定量蒸发源全部散失。本申请具有以下效果：通过定量的蒸发源对应单独一个激光芯片进行镀膜操作，对蒸发源进行较长时间的加热，能保持较好的镀膜均匀程度，便能提高产品质量。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114293151 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111528859.6 (22)申请日 2021.12.14 (71)申请人 江苏永鼎光电子技术有限公司

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