一种快恢复二极管及其制作方法.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.34万字
约 11页
2023-05-05 发布于四川
举报
版权申诉

一种快恢复二极管及其制作方法.pdf

1、本文档共11页，其中可免费阅读10页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种快恢复二极管，其中，包括：N型衬底材料层，N型外延层和第一掺杂浓度的P型材料层，第一掺杂浓度的P型材料层的表面包括多个第二掺杂浓度的P型材料区，N型衬底材料层背离N型外延层的表面形成第一金属层，第一掺杂浓度的P型材料层背离N型外延层的表面形成第二金属层，第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度小于第二掺杂浓度的P型材料区的掺杂浓度，且N型外延层靠近第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度大于N型外延层靠近N型衬底材料层的掺杂浓度。本发明还公开了一种快恢复二极管的制作方

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300544 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111654536.1 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人江苏中科君芯科技有限公司