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碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法.pdf

    碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：使用光谱椭偏仪测量碳化硅上介质层的介质膜厚H1，并通过公式计算得到介质膜厚的评价函数MSE1；制作掩膜层，使用台阶仪量测掩膜层厚度Ht；基于所述步骤S2量测的掩膜层厚度Ht，使用光谱椭偏仪测量掩膜层厚度Hy，并通过公式计算得到所述掩膜层厚度的评价函数MSEy；刻蚀含有掩膜的碳化硅上介质层，使用台阶仪量测刻蚀后台阶深度Het，使用椭偏仪测量刻蚀后掩膜层厚度Hey；根据公式计算刻蚀选择比。本方法使刻蚀过程中的碳化硅上掩膜层的厚度量测

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300374 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111630451.X (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人 浙江大学杭州国际科创中心

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