一种高调制带宽的垂直腔面发射激光器.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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一种高调制带宽的垂直腔面发射激光器.pdf

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本发明公开了一种高调制带宽的垂直腔面发射激光器，由下到上分别为衬底层、下DBR层、有源区、氧化限制层、上DBR层以及最上端的P型电极，下DBR层上还敷设有N型电极，有源区由应变量子阱和势垒层构成，应变量子阱的生长晶向为衬底层的(110)方向。本发明所公开的垂直腔面发射激光器选择(110)方向生长应变量子阱，可以加剧重空穴带和轻空穴带之间的分裂，使得应变量子阱价带的有效质量最小，降低导带和价带结构的不对称性，从而降低激光器激射时所需要的反转粒子数，进而在较低的载流子注入时，可以使得有源区的微分增益

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300944 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111677677.5 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人山东大学地址 25