半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成若干芯模结构，并且，在垂直于所述芯模结构侧壁面的方向上，所述芯模结构的顶部边缘朝向芯模结构外侧伸出；在所述芯模结构和待刻蚀层表面形成侧墙材料层；采用各向异性的刻蚀工艺，刻蚀所述侧墙材料层直至暴露出芯模结构顶面，在所述芯模结构的侧壁面形成侧墙。从而，提高了半导体结构的性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334641 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202011056488.1 (22)申请日 2020.09.30 (71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限