一种优化导通电阻的集成肖特基VDMOS器件.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.1万字
约 12页
2023-05-05 发布于四川
举报
版权申诉

一种优化导通电阻的集成肖特基VDMOS器件.pdf

1、本文档共12页，其中可免费阅读11页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明涉及一种优化导通电阻的集成肖特基VDMOS器件，属于功率半导体技术领域。本发明采用在P型阱区纵向上多次开孔集成肖特基接触的方式，没有增加器件元胞的横向面积，保证了器件的正向导通能力与传统结构基本一致，同时利用肖特基接触为反向恢复提供电流通路，来降低体二极管的反向恢复电荷，加快反向恢复过程。本发明的优化导通电阻的集成肖特基VDMOS结构具有更好的开关特性和反向恢复能力，同时器件静态特性与传统结构基本一致。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114284345 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202111594706.1 (22)申请日 2021.12.23 (71)申请人电子科技大学地址