氧化层的形成方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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氧化层的形成方法及半导体结构.pdf

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本发明提出一种氧化层的形成方法及半导体结构，氧化层的形成方法包含以下步骤：提供基底；形成氧化薄膜结构，向反应环境中通入氢气，并通入氧气，在基底表面形成氧化薄膜结构；退火处理，向反应环境中通入补偿气体，对氧化薄膜结构进行脉冲式退火处理，以形成氧化层薄膜；重复至少两个包含上述步骤的循环，在基底表面形成叠置的至少两层氧化层薄膜，以此形成氧化层。本发明采用补偿气体进行脉冲式的退火处理，能够减少二氧化硅中存在的不稳定的Si‑H键和Si‑OH键。本发明采用多个循环交替进行氧化薄膜结构的形成和退火处理，延长了

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334627 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202011049227.7 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人长鑫存储技术有限公司